一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法

本发明属于半导体光电子器件与微纳加工技术领域，具体涉及一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法。具体方法为在带有底电极的衬底上，依次旋涂并经热处理形成钙钛矿层和有机半导体层；在有机半导体层上依次旋涂牺牲层和UV胶层；利用带有微孔阵列的PDMS弹性模板对UV胶层进行压印，经紫外曝光固化后移除模板，得到UV胶微柱阵列；通过氧气等离子体刻蚀形成UV胶微孔阵列掩模，并将图形转移至牺牲层；蒸镀金属层后经剥离工艺，在有机半导体层表面形成金属点阵掩模；以金属点阵掩模为刻蚀掩模，采用不同刻蚀气体进行两步ICP反应离子刻蚀，依次刻蚀有机半导体层和钙钛矿层，直至暴露底电极，最终形成轴向微柱阵列异质结。