氮化硅陶瓷电热元件表面抗积碳处理方法及系统

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氮化硅陶瓷电热元件表面抗积碳处理方法及系统
申请号:CN202511453955
申请日期:2025-10-13
公开号:CN120903965B
公开日期:2025-12-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了氮化硅陶瓷电热元件表面抗积碳处理方法及系统,涉及电热元件涂层技术领域,该方法包括:确定氮化硅陶瓷电热元件的抗积碳涂层,进行缓冲涂层匹配,确定热膨胀梯度缓冲涂层;构建氮化硅陶瓷电热元件的表面喷涂三维模型,执行涂层均匀化的局部掩膜分析,确定各层喷涂参数;进行喷涂时的粉体流动缺陷分析,确定喷涂前的超声分散预处理参数;执行抗积碳涂层和热膨胀梯度缓冲涂层的喷涂处理。本发明解决了现有技术中涂层易因热膨胀系数差异开裂、喷涂参数不精准导致涂层不均匀、粉体流动缺陷影响涂层质量的技术问题,达到了提升氮化硅陶瓷电热元件表面抗积碳涂层质量和稳定性的技术效果。
技术关键词
缓冲 缺陷分析 参数 三维模型 涂层结构 表面喷涂设备 掩膜 涂层材料 氮化硅陶瓷 基体 工况 涂层涂覆 电热元件 匹配模块 积碳 偏差 回弹
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沪ICP备2023015588号