摘要
本发明涉及宇航芯片抗单粒子效应的评估方法、装置及设备,通过将评估过程分为前期设计评估、后期摸底评估以及芯片达标评估三个阶段,定量衡量了宇航芯片抗单粒子效应的能力;同时,前期设计评估阶段的提前评估、后期摸底评估阶段的二次检验以及芯片达标评估阶段的综合对比,明确且闭环评估了芯片抗单粒子性能是否达到入轨标准,极大增强了宇航芯片的风险控制,该评估技术具有普适性高且可操作性强的特点,在避免宇航芯片设计风险的同时提升了宇航芯片的可靠性,可推广应用于航空航天领域。
技术关键词
抗单粒子效应
芯片
轨道
阶段
错误率
空间辐射环境
参数
寿命
评估装置
心率
处理器
计算机设备
模块
存储器
指标
风险
资源
闭环